Справочник IGBT. IXBL20N300C

 

IXBL20N300C Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBL20N300C
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
   Тип корпуса: I5PAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXBL20N300C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  ixys
 ixbl20n300c.pdf pdf_icon

IXBL20N300C

Advance Technical InformationHigh Voltage,VCES = 3000VIXBL20N300CHigh Frequency,IC110 = 20ABiMOSFETTM MonolithicVCE(sat) 6.0VBipolar MOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i5-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 V EC Isolated TabVGES Continuous

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: FF150R12YT3 | NTE3300 | BLG60T65FUL-F | MMG300Q060B6EN | FD800R33KL2C-K_B5 | RJP5001APP-M0 | SL15T65F

 

 
Back to Top

 


 
.