IXBL60N360 Todos los transistores

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IXBL60N360 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBL60N360

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 417

Tensión colector-emisor (Vce): 3600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 3.4

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 92

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 300

Capacitancia de salida (Cc), pF: 367

Empaquetado / Estuche: i5PAK

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IXBL60N360 Datasheet (PDF)

1.1. ixbl60n360.pdf Size:166K _igbt

IXBL60N360
IXBL60N360

Advance Technical Information High Voltage, VCES = 3600V IXBL60N360 High Frequency, IC110 = 36A BiMOSFETTM Monolithic  VCE(sat)  3.4V    Bipolar MOS Transistor (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 3600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1M 3600 V G E C VGES Continuous ± 20 V Isolated

5.1. ixbl64n250.pdf Size:184K _igbt

IXBL60N360
IXBL60N360

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 2500V IXBL64N250 BiMOSFETTM IC110 = 46A ≤ VCE(sat) ≤ ≤ 3.0V ≤ ≤ Monolithic Bipolar MOS Transistor (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 2500 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 2500 V G E Isolated Tab C VGES Continuous ±25 V VGE

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