Справочник IGBT. IXBL60N360

 

IXBL60N360 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBL60N360
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 92 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 367 pF
   Тип корпуса: I5PAK
 

 Аналог (замена) для IXBL60N360

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBL60N360 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  ixys
 ixbl60n360.pdf pdf_icon

IXBL60N360

Advance Technical InformationHigh Voltage,VCES = 3600VIXBL60N360High Frequency,IC110 = 36ABiMOSFETTM MonolithicVCE(sat) 3.4VBipolar MOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i5-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 VGECVGES Continuous 20 V Isolated

 9.1. Size:184K  ixys
 ixbl64n250.pdf pdf_icon

IXBL60N360

Advance Technical InformationHigh Voltage, High Gain VCES = 2500VIXBL64N250BiMOSFETTM IC110 = 46AVCE(sat) 3.0VMonolithic BipolarMOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i5-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 2500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 V GE Isolated TabCVGES Continuous 25 VVGE

Другие IGBT... IXBH20N360HV , IXBH22N300HV , IXBH40N140 , IXBH42N250 , IXBH42N300HV , IXBJ40N140 , IXBJ40N160 , IXBL20N300C , CRG60T60AN3H , IXBT12N300HV , IXBT16N170AHV , IXBT20N300HV , IXBT20N360HV , IXBT22N300HV , IXBT42N300HV , IXBV22N300S , IXBX28N300HV .

 

 
Back to Top

 


 
.