IXBL60N360 - аналоги и описание IGBT

 

IXBL60N360 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBL60N360

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 92 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 367 pF

Тип корпуса: I5PAK

 Аналог (замена) для IXBL60N360

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBL60N360 даташит

 ..1. Size:166K  ixys
 ixbl60n360.pdf pdf_icon

IXBL60N360

Advance Technical Information High Voltage, VCES = 3600V IXBL60N360 High Frequency, IC110 = 36A BiMOSFETTM Monolithic VCE(sat) 3.4V Bipolar MOS Transistor (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3600 V G E C VGES Continuous 20 V Isolated

 9.1. Size:184K  ixys
 ixbl64n250.pdf pdf_icon

IXBL60N360

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 2500V IXBL64N250 BiMOSFETTM IC110 = 46A VCE(sat) 3.0V Monolithic Bipolar MOS Transistor (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V G E Isolated Tab C VGES Continuous 25 V VGE

Другие IGBT... IXBH20N360HV , IXBH22N300HV , IXBH40N140 , IXBH42N250 , IXBH42N300HV , IXBJ40N140 , IXBJ40N160 , IXBL20N300C , IHW20N135R5 , IXBT12N300HV , IXBT16N170AHV , IXBT20N300HV , IXBT20N360HV , IXBT22N300HV , IXBT42N300HV , IXBV22N300S , IXBX28N300HV .

History: IXGQ170N30PB

 

 

 


 
↑ Back to Top
.