IXBX50N360HV IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBX50N360HV
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 660 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 125 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 420 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 195 pF
Encapsulados: TO247HV
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IXBX50N360HV datasheet
ixbx50n360hv.pdf
Advance Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 3600V IXBX50N360HV Bipolar MOS Transistor IC110 = 50A High Voltage, VCE(sat) 2.9V High Frequency TO-247PLUS-HV Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V E Tab C IC25 TC =
ixbx55n300.pdf
High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBK55N300 BiMOSFETTM IC110 = 55A IXBX55N300 VCE(sat) 3.2V Monolithic Bipolar MOS Transistor TO-264 (IXBK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C VCES TJ = 25 C to 150 C 3000 V E Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V VGES Continuous 25 V PLUS247 (IXBX) VGEM Transient 35 V IC25 TC = 25 C ( Chip
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