IXBX50N360HV - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBX50N360HV
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 660 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 125 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 420 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 195 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 210 nC
Paquete / Cubierta: TO247HV
Búsqueda de reemplazo de IXBX50N360HV - IGBT
IXBX50N360HV Datasheet (PDF)
ixbx50n360hv.pdf
Advance Technical InformationBiMOSFETTM MonolithicVCES = 3600VIXBX50N360HVBipolar MOS TransistorIC110 = 50AHigh Voltage,VCE(sat) 2.9VHigh FrequencyTO-247PLUS-HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VETabCIC25 TC =
ixbx55n300.pdf
High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBK55N300BiMOSFETTMIC110 = 55AIXBX55N300VCE(sat) 3.2VMonolithic BipolarMOS TransistorTO-264 (IXBK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 150C 3000 VETabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 25 VPLUS247 (IXBX)VGEM Transient 35 VIC25 TC = 25C ( Chip
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