Справочник IGBT. IXBX50N360HV

 

IXBX50N360HV Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBX50N360HV
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 125 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 420 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 195 pF
   Тип корпуса: TO247HV
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXBX50N360HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  ixys
 ixbx50n360hv.pdf pdf_icon

IXBX50N360HV

Advance Technical InformationBiMOSFETTM MonolithicVCES = 3600VIXBX50N360HVBipolar MOS TransistorIC110 = 50AHigh Voltage,VCE(sat) 2.9VHigh FrequencyTO-247PLUS-HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VETabCIC25 TC =

 9.1. Size:213K  ixys
 ixbx55n300.pdf pdf_icon

IXBX50N360HV

High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBK55N300BiMOSFETTMIC110 = 55AIXBX55N300VCE(sat) 3.2VMonolithic BipolarMOS TransistorTO-264 (IXBK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 150C 3000 VETabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 25 VPLUS247 (IXBX)VGEM Transient 35 VIC25 TC = 25C ( Chip

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXGP30N60C3D4 | MMG150CE065PD6TC | IGZ50N65H5 | IXGR40N60CD1 | NCE40TD120BT | IRG4MC40U | VS-GB400AH120N

 

 
Back to Top

 


 
.