Справочник IGBT. IXBX50N360HV

 

IXBX50N360HV - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBX50N360HV
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 125 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 420 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 195 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 210 nC
   Тип корпуса: TO247HV

 Аналог (замена) для IXBX50N360HV

 

 

IXBX50N360HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  ixys
 ixbx50n360hv.pdf

IXBX50N360HV IXBX50N360HV

Advance Technical InformationBiMOSFETTM MonolithicVCES = 3600VIXBX50N360HVBipolar MOS TransistorIC110 = 50AHigh Voltage,VCE(sat) 2.9VHigh FrequencyTO-247PLUS-HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VETabCIC25 TC =

 9.1. Size:213K  ixys
 ixbx55n300.pdf

IXBX50N360HV IXBX50N360HV

High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBK55N300BiMOSFETTMIC110 = 55AIXBX55N300VCE(sat) 3.2VMonolithic BipolarMOS TransistorTO-264 (IXBK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 150C 3000 VETabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 25 VPLUS247 (IXBX)VGEM Transient 35 VIC25 TC = 25C ( Chip

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top