IXCH36N250 Todos los transistores

 

IXCH36N250 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXCH36N250
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 595 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 73 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 580 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXCH36N250 Datasheet (PDF)

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IXCH36N250

High VoltageVCES = 2500VIXCH36N250BIMOSFETTM MonolithicIXCK36N250IC110 = 36ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.3VExtended FBSOATO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 2500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VGC TabVGES Continuous 25 VEVGEM Transient 35 VTO-264IC25 TC = 25C 73 AIC110

Otros transistores... IXBT16N170AHV , IXBT20N300HV , IXBT20N360HV , IXBT22N300HV , IXBT42N300HV , IXBV22N300S , IXBX28N300HV , IXBX50N360HV , IKW30N60H3 , IXCK36N250 , IXGA20N250 , IXGA20N250HV , IXGA24N60C4 , IXGC16N60B2 , IXGC16N60B2D1 , IXGC16N60C2 , IXGC16N60C2D1 .

History: IXSH16N60U1 | IXSH10N120A | IXSH15N120AU1 | APT68GA60B | IXSH20N60U1 | IXSH15N120B

 

 
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