Справочник IGBT. IXCH36N250

 

IXCH36N250 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXCH36N250
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 595 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 73 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 580 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 177 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXCH36N250

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXCH36N250 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  ixys
 ixch36n250.pdf pdf_icon

IXCH36N250

High VoltageVCES = 2500VIXCH36N250BIMOSFETTM MonolithicIXCK36N250IC110 = 36ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.3VExtended FBSOATO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 2500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VGC TabVGES Continuous 25 VEVGEM Transient 35 VTO-264IC25 TC = 25C 73 AIC110

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IRGP4062D-EPBF | SKM75GD124D | 1MB05D-120 | APTGT50X170BTP3

 

 
Back to Top

 


 
.