IXGQ240N30PB Todos los transistores

 

IXGQ240N30PB - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGQ240N30PB
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 240 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 435 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 225 nC
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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IXGQ240N30PB Datasheet (PDF)

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IXGQ240N30PB

PolarTM High Speed VCES = 300VIXGQ240N30PBIGBT ICP = 500A VCE(sat) 1.6V For PDP ApplicationsTO-3PSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 300 VGVGES Continuous 20 VCVGEM Transient 30 VETabIC25 TC = 25C (Chip Capability) 240 AICP TJ 150C, tp

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IXGQ240N30PB

PolarTM High Speed VCES = 300VIXGQ240N30PBIGBT ICP = 500A VCE(sat) 1.6V For PDP ApplicationsTO-3PSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 300 VGVGES Continuous 20 VCVGEM Transient 30 VETabIC25 TC = 25C (Chip Capability) 240 AICP TJ 150C, tp

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IXGQ240N30PB

High Voltage IGBT with DiodeVCES = 1200 VIXGQ 20N120BIC25 = 40 AIXGQ 20N120BD1VCE(sat) = 3.4 Vtfi(typ) = 160 nsBD1TO-3P (IXGQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C40 AC(TAB)EIC110 TC = 110C20 AICM TC = 25C, 1 ms 100

Otros transistores... IXGA20N250 , IXGA20N250HV , IXGA24N60C4 , IXGC16N60B2 , IXGC16N60B2D1 , IXGC16N60C2 , IXGC16N60C2D1 , IXGQ170N30PB , GT30F125 , IXGQ85N33PCD1 , IXGQ90N27PB , IXXN100N60B3H1 , IXXN110N65B4H1 , IXXN110N65C4H1 , IXXN200N60B3 , IXXN200N60B3H1 , IXXN200N60C3H1 .

History: ISL9V5036P3 | SPT20N120F1

 

 
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