IXGQ240N30PB - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGQ240N30PB
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 435 pF
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для IXGQ240N30PB
IXGQ240N30PB Datasheet (PDF)
ixgq240n30pb.pdf
PolarTM High Speed VCES = 300VIXGQ240N30PBIGBT ICP = 500A VCE(sat) 1.6V For PDP ApplicationsTO-3PSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 300 VGVGES Continuous 20 VCVGEM Transient 30 VETabIC25 TC = 25C (Chip Capability) 240 AICP TJ 150C, tp
ixgq24n30pb.pdf
PolarTM High Speed VCES = 300VIXGQ240N30PBIGBT ICP = 500A VCE(sat) 1.6V For PDP ApplicationsTO-3PSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 300 VGVGES Continuous 20 VCVGEM Transient 30 VETabIC25 TC = 25C (Chip Capability) 240 AICP TJ 150C, tp
ixgq20n120b.pdf
High Voltage IGBT with DiodeVCES = 1200 VIXGQ 20N120BIC25 = 40 AIXGQ 20N120BD1VCE(sat) = 3.4 Vtfi(typ) = 160 nsBD1TO-3P (IXGQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C40 AC(TAB)EIC110 TC = 110C20 AICM TC = 25C, 1 ms 100
Другие IGBT... IXGA20N250 , IXGA20N250HV , IXGA24N60C4 , IXGC16N60B2 , IXGC16N60B2D1 , IXGC16N60C2 , IXGC16N60C2D1 , IXGQ170N30PB , RJH3047 , IXGQ85N33PCD1 , IXGQ90N27PB , IXXN100N60B3H1 , IXXN110N65B4H1 , IXXN110N65C4H1 , IXXN200N60B3 , IXXN200N60B3H1 , IXXN200N60C3H1 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2