IXGQ85N33PCD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGQ85N33PCD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 85 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 43 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 155 pF
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de IXGQ85N33PCD1 - IGBT
IXGQ85N33PCD1 Datasheet (PDF)
ixgq85n33pcd1.pdf
Advance Technical InformationPolarTM High SpeedVCES = 330 VIXGQ85N33PCD1ICP = 340 AIGBTVCE(sat) 2.1 Vwith Anti-Parallel Diodefor PDP Sustain CircuitSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3PVCES TJ = 25C to 150C 330 VVGEM 30 VGIC25 TC = 25C, IGBT chip capability 85 ACE(TAB)ICP TJ 150C, tp 1 s, D 1% 340 AG = G
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Liste
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