IXGQ85N33PCD1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGQ85N33PCD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 43 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 155 pF
Encapsulados: TO3P
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IXGQ85N33PCD1 datasheet
ixgq85n33pcd1.pdf
Advance Technical Information PolarTM High Speed VCES = 330 V IXGQ85N33PCD1 ICP = 340 A IGBT VCE(sat) 2.1 V with Anti-Parallel Diode for PDP Sustain Circuit Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P VCES TJ = 25 C to 150 C 330 V VGEM 30 V G IC25 TC = 25 C, IGBT chip capability 85 A C E (TAB) ICP TJ 150 C, tp 1 s, D 1% 340 A G = G
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