IXGQ85N33PCD1 Todos los transistores

 

IXGQ85N33PCD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGQ85N33PCD1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 85 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 43 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 155 pF
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGQ85N33PCD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  ixys
 ixgq85n33pcd1.pdf pdf_icon

IXGQ85N33PCD1

Advance Technical InformationPolarTM High SpeedVCES = 330 VIXGQ85N33PCD1ICP = 340 AIGBTVCE(sat) 2.1 Vwith Anti-Parallel Diodefor PDP Sustain CircuitSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3PVCES TJ = 25C to 150C 330 VVGEM 30 VGIC25 TC = 25C, IGBT chip capability 85 ACE(TAB)ICP TJ 150C, tp 1 s, D 1% 340 AG = G

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: KGF15N60FDA | IXYH40N65C3H1 | IKW40N65F5 | PDMB200E6 | JNG40T65HYU1 | CM300DU-12F | APT40GP90B

 

 
Back to Top

 


 
.