IXGQ85N33PCD1 - аналоги и описание IGBT

 

IXGQ85N33PCD1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGQ85N33PCD1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 155 pF

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для IXGQ85N33PCD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGQ85N33PCD1 даташит

 ..1. Size:142K  ixys
 ixgq85n33pcd1.pdf pdf_icon

IXGQ85N33PCD1

Advance Technical Information PolarTM High Speed VCES = 330 V IXGQ85N33PCD1 ICP = 340 A IGBT VCE(sat) 2.1 V with Anti-Parallel Diode for PDP Sustain Circuit Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P VCES TJ = 25 C to 150 C 330 V VGEM 30 V G IC25 TC = 25 C, IGBT chip capability 85 A C E (TAB) ICP TJ 150 C, tp 1 s, D 1% 340 A G = G

Другие IGBT... IXGA20N250HV , IXGA24N60C4 , IXGC16N60B2 , IXGC16N60B2D1 , IXGC16N60C2 , IXGC16N60C2D1 , IXGQ170N30PB , IXGQ240N30PB , IKW30N60H3 , IXGQ90N27PB , IXXN100N60B3H1 , IXXN110N65B4H1 , IXXN110N65C4H1 , IXXN200N60B3 , IXXN200N60B3H1 , IXXN200N60C3H1 , IXXH110N65C4 .

History: IRG4PC60F

 

 

 


 
↑ Back to Top
.