IXGQ90N27PB Todos los transistores

 

IXGQ90N27PB - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGQ90N27PB
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 270 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 43 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 180 pF
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGQ90N27PB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  ixys
 ixgq90n27pb.pdf pdf_icon

IXGQ90N27PB

Preliminary Technical InformationPolarTMVCES = 270 VIXGQ90N27PBIGBTICP = 340 AVCE(sat) 2.1 Vfor PDP ApplicationsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3PVCES TJ = 25C to 150C 270 VVGEM 30 VGIC25 TC = 25C, IGBT chip capability 90 ACE(TAB)ICPEAK TJ 150C, tp 1 s, D 1% 340 AIC(RMS) Lead current limit 75 ASSOA VG

 7.1. Size:124K  ixys
 ixgq90n33tc-d4.pdf pdf_icon

IXGQ90N27PB

Preliminary Technical InformationVCES = 330VPlasma Display IXGQ90N33TCD4ICP = 360APower IGBTVCE(sat) 1.80VTrench Gate High SpeedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXGQ)VCES TJ = 25C to 150C 330 VVGEM 30 VIC25 TC = 25C, IGBT chip capability 90 AG ICP TJ 360 A 150C, tp 1s CE (TAB)

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History: BSM300GA120DN2S | IXGH30N60B | IRG7PH35UD1M | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IKW50N65WR5 | MMG15CB120XB6TC

 

 
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