IXGQ90N27PB - аналоги и описание IGBT

 

IXGQ90N27PB - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGQ90N27PB

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 270 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для IXGQ90N27PB

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGQ90N27PB даташит

 ..1. Size:109K  ixys
 ixgq90n27pb.pdf pdf_icon

IXGQ90N27PB

Preliminary Technical Information PolarTM VCES = 270 V IXGQ90N27PB IGBT ICP = 340 A VCE(sat) 2.1 V for PDP Applications Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P VCES TJ = 25 C to 150 C 270 V VGEM 30 V G IC25 TC = 25 C, IGBT chip capability 90 A C E (TAB) ICPEAK TJ 150 C, tp 1 s, D 1% 340 A IC(RMS) Lead current limit 75 A SSOA VG

 7.1. Size:124K  ixys
 ixgq90n33tc-d4.pdf pdf_icon

IXGQ90N27PB

Preliminary Technical Information VCES = 330V Plasma Display IXGQ90N33TCD4 ICP = 360A Power IGBT VCE(sat) 1.80V Trench Gate High Speed Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXGQ) VCES TJ = 25 C to 150 C 330 V VGEM 30 V IC25 TC = 25 C, IGBT chip capability 90 A G ICP TJ 360 A 150 C, tp 1 s C E (TAB)

Другие IGBT... IXGA24N60C4 , IXGC16N60B2 , IXGC16N60B2D1 , IXGC16N60C2 , IXGC16N60C2D1 , IXGQ170N30PB , IXGQ240N30PB , IXGQ85N33PCD1 , CRG75T60AK3HD , IXXN100N60B3H1 , IXXN110N65B4H1 , IXXN110N65C4H1 , IXXN200N60B3 , IXXN200N60B3H1 , IXXN200N60C3H1 , IXXH110N65C4 , IXXH150N60C3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.