Справочник IGBT. IXGQ90N27PB

 

IXGQ90N27PB - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGQ90N27PB
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 270 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для IXGQ90N27PB

 

 

IXGQ90N27PB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  ixys
 ixgq90n27pb.pdf

IXGQ90N27PB IXGQ90N27PB

Preliminary Technical InformationPolarTMVCES = 270 VIXGQ90N27PBIGBTICP = 340 AVCE(sat) 2.1 Vfor PDP ApplicationsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3PVCES TJ = 25C to 150C 270 VVGEM 30 VGIC25 TC = 25C, IGBT chip capability 90 ACE(TAB)ICPEAK TJ 150C, tp 1 s, D 1% 340 AIC(RMS) Lead current limit 75 ASSOA VG

 7.1. Size:124K  ixys
 ixgq90n33tc-d4.pdf

IXGQ90N27PB IXGQ90N27PB

Preliminary Technical InformationVCES = 330VPlasma Display IXGQ90N33TCD4ICP = 360APower IGBTVCE(sat) 1.80VTrench Gate High SpeedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXGQ)VCES TJ = 25C to 150C 330 VVGEM 30 VIC25 TC = 25C, IGBT chip capability 90 AG ICP TJ 360 A 150C, tp 1s CE (TAB)

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top