IXXH40N65B4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXH40N65B4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 455 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 53 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 103 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXXH40N65B4 - IGBT
IXXH40N65B4 Datasheet (PDF)
ixxh40n65b4.pdf
Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH40N65B4GenX4TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 54nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGE
ixxh40n65b4h1.pdf
XPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH40N65B4H1GenX4TM w/ Sonic IC110 = 40ADiode VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 54nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20
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Liste
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