Справочник IGBT. IXXH40N65B4

 

IXXH40N65B4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXH40N65B4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 455 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 53 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 103 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 77 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXXH40N65B4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXH40N65B4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  ixys
 ixxh40n65b4.pdf pdf_icon

IXXH40N65B4

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH40N65B4GenX4TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 54nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGE

 0.1. Size:183K  ixys
 ixxh40n65b4h1.pdf pdf_icon

IXXH40N65B4

XPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH40N65B4H1GenX4TM w/ Sonic IC110 = 40ADiode VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 54nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: BLG15T65FUL-P | IXBT42N170A | BSM300GA120DN2S | CM200RX-12A | SPT10N120T1 | IXGH30N60C3C1 | T0340VB45G

 

 
Back to Top

 


 
.