IXXH40N65B4 - аналоги и описание IGBT

 

IXXH40N65B4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXXH40N65B4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 455 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 53 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 103 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXXH40N65B4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXH40N65B4 даташит

 ..1. Size:227K  ixys
 ixxh40n65b4.pdf pdf_icon

IXXH40N65B4

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXH40N65B4 GenX4TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 54ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G VGE

 0.1. Size:183K  ixys
 ixxh40n65b4h1.pdf pdf_icon

IXXH40N65B4

XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXH40N65B4H1 GenX4TM w/ Sonic IC110 = 40A Diode VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 54ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G VGES Continuous 20

Другие IGBT... IXXN200N60B3 , IXXN200N60B3H1 , IXXN200N60C3H1 , IXXH110N65C4 , IXXH150N60C3 , IXXH30N60B3 , IXXH30N60C3 , IXXH30N65B4 , NGTB75N65FL2 , IXXH40N65B4H1 , IXXH60N65B4 , IXXH60N65B4H1 , IXXH60N65C4 , IXGH10N60 , IXGH10N60A , IXGH40N60 , IXGH40N60A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.