IXXH40N65B4H1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXH40N65B4H1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 455 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 53 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
Encapsulados: TO247
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IXXH40N65B4H1 datasheet
ixxh40n65b4h1.pdf
XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXH40N65B4H1 GenX4TM w/ Sonic IC110 = 40A Diode VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 54ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G VGES Continuous 20
ixxh40n65b4.pdf
Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXH40N65B4 GenX4TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 54ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G VGE
Otros transistores... IXXN200N60B3H1 , IXXN200N60C3H1 , IXXH110N65C4 , IXXH150N60C3 , IXXH30N60B3 , IXXH30N60C3 , IXXH30N65B4 , IXXH40N65B4 , FGH30S130P , IXXH60N65B4 , IXXH60N65B4H1 , IXXH60N65C4 , IXGH10N60 , IXGH10N60A , IXGH40N60 , IXGH40N60A , IXGM40N60 .
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