IXXH40N65B4H1 Todos los transistores

 

IXXH40N65B4H1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXXH40N65B4H1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 455 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 53 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXXH40N65B4H1 Datasheet (PDF)

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IXXH40N65B4H1

XPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH40N65B4H1GenX4TM w/ Sonic IC110 = 40ADiode VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 54nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20

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IXXH40N65B4H1

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH40N65B4GenX4TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 54nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGE

Otros transistores... IXXN200N60B3H1 , IXXN200N60C3H1 , IXXH110N65C4 , IXXH150N60C3 , IXXH30N60B3 , IXXH30N60C3 , IXXH30N65B4 , IXXH40N65B4 , GT30J122 , IXXH60N65B4 , IXXH60N65B4H1 , IXXH60N65C4 , IXGH10N60 , IXGH10N60A , IXGH40N60 , IXGH40N60A , IXGM40N60 .

History: MMG75WD120XB6T4N | MMG400D120UA6TC | DAHF100G120SA

 

 
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