Справочник IGBT. IXXH40N65B4H1

 

IXXH40N65B4H1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXH40N65B4H1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 455 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 53 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXXH40N65B4H1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXH40N65B4H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  ixys
 ixxh40n65b4h1.pdf pdf_icon

IXXH40N65B4H1

XPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH40N65B4H1GenX4TM w/ Sonic IC110 = 40ADiode VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 54nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20

 3.1. Size:227K  ixys
 ixxh40n65b4.pdf pdf_icon

IXXH40N65B4H1

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH40N65B4GenX4TM IC110 = 40A VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 54nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGE

Другие IGBT... IXXN200N60B3H1 , IXXN200N60C3H1 , IXXH110N65C4 , IXXH150N60C3 , IXXH30N60B3 , IXXH30N60C3 , IXXH30N65B4 , IXXH40N65B4 , IRG4PC50U , IXXH60N65B4 , IXXH60N65B4H1 , IXXH60N65C4 , IXGH10N60 , IXGH10N60A , IXGH40N60 , IXGH40N60A , IXGM40N60 .

History: AFGHL75T65SQDT | IXGH28N60BD1

 

 
Back to Top

 


 
.