IXXH80N65B4H1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXH80N65B4H1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 296 pF
Encapsulados: TO247
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IXXH80N65B4H1 datasheet
ixxh80n65b4h1.pdf
XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXH80N65B4H1 GenX4TM w/ Sonic IC110 = 80A Diode VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 63ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G VGES Continuous 20
ixxh80n65b4.pdf
Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXH80N65B4 GenX4TM IC110 = 80A VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 63ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G VGE
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History: OST160N65H5MF | OST20N135HRF
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