Справочник IGBT. IXXH80N65B4H1

 

IXXH80N65B4H1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXH80N65B4H1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 296 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXXH80N65B4H1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXH80N65B4H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  ixys
 ixxh80n65b4h1.pdf pdf_icon

IXXH80N65B4H1

XPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH80N65B4H1GenX4TM w/ Sonic IC110 = 80ADiode VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 63nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20

 3.1. Size:211K  ixys
 ixxh80n65b4.pdf pdf_icon

IXXH80N65B4H1

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH80N65B4GenX4TM IC110 = 80A VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 63nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGE

Другие IGBT... IXGH10N60A , IXGH40N60 , IXGH40N60A , IXGM40N60 , IXGM40N60A , IXGP10N60 , IXGP10N60A , IXXH80N65B4 , FGW75N60HD , IXXK110N60B4H1 , IXXK110N65B4H1 , IXXK160N65B4 , IXXK160N65C4 , IXXK200N65B4 , IXXK300N60B3 , IXXK300N60C3 , IXXQ30N60B3M .

History: IGC04R60D | IXYR50N120C3D1 | TIG111GMH | SPL40N120 | CM200RXL-24S | DGC60F65M | IXST30N60B

 

 
Back to Top

 


 
.