Справочник IGBT. IXXH80N65B4H1

 

IXXH80N65B4H1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXH80N65B4H1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 296 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXXH80N65B4H1

 

 

IXXH80N65B4H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  ixys
 ixxh80n65b4h1.pdf

IXXH80N65B4H1 IXXH80N65B4H1

XPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH80N65B4H1GenX4TM w/ Sonic IC110 = 80ADiode VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 63nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20

 3.1. Size:211K  ixys
 ixxh80n65b4.pdf

IXXH80N65B4H1 IXXH80N65B4H1

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH80N65B4GenX4TM IC110 = 80A VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 63nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGE

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top