IXXH80N65B4H1 - аналоги и описание IGBT

 

IXXH80N65B4H1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXXH80N65B4H1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 296 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXXH80N65B4H1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXH80N65B4H1 даташит

 ..1. Size:218K  ixys
 ixxh80n65b4h1.pdf pdf_icon

IXXH80N65B4H1

XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXH80N65B4H1 GenX4TM w/ Sonic IC110 = 80A Diode VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 63ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G VGES Continuous 20

 3.1. Size:211K  ixys
 ixxh80n65b4.pdf pdf_icon

IXXH80N65B4H1

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXH80N65B4 GenX4TM IC110 = 80A VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 63ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G VGE

Другие IGBT... IXGH10N60A , IXGH40N60 , IXGH40N60A , IXGM40N60 , IXGM40N60A , IXGP10N60 , IXGP10N60A , IXXH80N65B4 , BT60T60ANFK , IXXK110N60B4H1 , IXXK110N65B4H1 , IXXK160N65B4 , IXXK160N65C4 , IXXK200N65B4 , IXXK300N60B3 , IXXK300N60C3 , IXXQ30N60B3M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.