IXXK300N60B3 Todos los transistores

 

IXXK300N60B3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXXK300N60B3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 550 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 87 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 757 pF
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXXK300N60B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  ixys
 ixxk300n60b3.pdf pdf_icon

IXXK300N60B3

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBTs IXXK300N60B3IC110 = 300AGenX3TM IXXX300N60B3 VCE(sat) 1.6V tfi(typ) = 95nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 V

 4.1. Size:223K  ixys
 ixxk300n60c3.pdf pdf_icon

IXXK300N60B3

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBTs IXXK300N60C3IC110 = 300AGenX3TM IXXX300N60C3 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 82nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 V

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History: DAZF100G120XCA | IRG7RC10FD | IRG4PC30FPBF | CM1200DC-34N | SKM150GB12T4 | FF200R12KT3

 

 
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