IXXK300N60B3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXK300N60B3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 550 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 87 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 757 pF
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de IXXK300N60B3 - IGBT
IXXK300N60B3 Datasheet (PDF)
ixxk300n60b3.pdf
Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBTs IXXK300N60B3IC110 = 300AGenX3TM IXXX300N60B3 VCE(sat) 1.6V tfi(typ) = 95nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 V
ixxk300n60c3.pdf
Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBTs IXXK300N60C3IC110 = 300AGenX3TM IXXX300N60C3 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 82nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 V
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