Справочник IGBT. IXXK300N60B3

 

IXXK300N60B3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXK300N60B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 550 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 87 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 757 pF
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXXK300N60B3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXK300N60B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  ixys
 ixxk300n60b3.pdf pdf_icon

IXXK300N60B3

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBTs IXXK300N60B3IC110 = 300AGenX3TM IXXX300N60B3 VCE(sat) 1.6V tfi(typ) = 95nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 V

 4.1. Size:223K  ixys
 ixxk300n60c3.pdf pdf_icon

IXXK300N60B3

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBTs IXXK300N60C3IC110 = 300AGenX3TM IXXX300N60C3 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 82nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 V

Другие IGBT... IXGP10N60A , IXXH80N65B4 , IXXH80N65B4H1 , IXXK110N60B4H1 , IXXK110N65B4H1 , IXXK160N65B4 , IXXK160N65C4 , IXXK200N65B4 , HGTG30N60A4 , IXXK300N60C3 , IXXQ30N60B3M , IXXX100N60B3H1 , IXXX110N60B4H1 , IXXX110N65B4H1 , IXXX160N65B4 , IXXX160N65C4 , IXXX200N65B4 .

History: APTGT30SK170D1 | MG150Q2YS65H | MP6752 | AIKW50N60CT | APT40GP60B2DQ2G | IXYQ40N65C3D1 | IXSH15N120AU1

 

 
Back to Top

 


 
.