IXXQ30N60B3M Todos los transistores

 

IXXQ30N60B3M - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXXQ30N60B3M
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 90 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 33 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 137 pF
   Paquete / Cubierta: TO3PF
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXXQ30N60B3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  ixys
 ixxq30n60b3m.pdf pdf_icon

IXXQ30N60B3M

Advance Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXQ30N60B3MGenX3TM IC110 = 19A VCE(sat) 1.85V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 125nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingOVERMOLDED(IXXQ...M) OUTLINESymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCG

Otros transistores... IXXH80N65B4H1 , IXXK110N60B4H1 , IXXK110N65B4H1 , IXXK160N65B4 , IXXK160N65C4 , IXXK200N65B4 , IXXK300N60B3 , IXXK300N60C3 , RJH60F7BDPQ-A0 , IXXX100N60B3H1 , IXXX110N60B4H1 , IXXX110N65B4H1 , IXXX160N65B4 , IXXX160N65C4 , IXXX200N65B4 , IXXX300N60C3 , IXYH100N65B3 .

History: IXYP20N65B3D1 | IQGB228N120GB4 | SRE100N065FSUD6 | 2MBI200TA-060 | 2MBI1200U4G-120 | 2MBI1200U4G-170 | ISL9V3036S3S

 

 
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