IXXQ30N60B3M Todos los transistores

 

IXXQ30N60B3M - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXXQ30N60B3M
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 90 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 33 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 137 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 39 nC
   Paquete / Cubierta: TO3PF
 

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IXXQ30N60B3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  ixys
 ixxq30n60b3m.pdf pdf_icon

IXXQ30N60B3M

Advance Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXQ30N60B3MGenX3TM IC110 = 19A VCE(sat) 1.85V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 125nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingOVERMOLDED(IXXQ...M) OUTLINESymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCG

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: SKM200GAL123D | IXGH50N60B2 | IXGA42N30C3 | 2MBI1200U4G-170 | 2MBI200SB-120 | MIAA10WF600TMH | STGD10NC60KDT4

 

 
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