Справочник IGBT. IXXQ30N60B3M

 

IXXQ30N60B3M Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXQ30N60B3M
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 33 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 137 pF
   Тип корпуса: TO3PF
 

 Аналог (замена) для IXXQ30N60B3M

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXQ30N60B3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  ixys
 ixxq30n60b3m.pdf pdf_icon

IXXQ30N60B3M

Advance Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXQ30N60B3MGenX3TM IC110 = 19A VCE(sat) 1.85V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 125nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingOVERMOLDED(IXXQ...M) OUTLINESymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCG

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: SGW6N60UFD | STGD3HF60HDT4 | IXXX100N60B3H1 | ISL9V3036S3S | FGH75T65SQDT | SRE100N065FSUD6 | SKM145GB176D

 

 
Back to Top

 


 
.