IXXQ30N60B3M - аналоги и описание IGBT

 

IXXQ30N60B3M - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXXQ30N60B3M

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 33 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 137 pF

Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для IXXQ30N60B3M

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXQ30N60B3M даташит

 ..1. Size:197K  ixys
 ixxq30n60b3m.pdf pdf_icon

IXXQ30N60B3M

Advance Technical Information XPTTM 600V IGBT VCES = 600V IXXQ30N60B3M GenX3TM IC110 = 19A VCE(sat) 1.85V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 125ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching OVERMOLDED (IXXQ...M) OUTLINE Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V VCG

Другие IGBT... IXXH80N65B4H1 , IXXK110N60B4H1 , IXXK110N65B4H1 , IXXK160N65B4 , IXXK160N65C4 , IXXK200N65B4 , IXXK300N60B3 , IXXK300N60C3 , IRGB20B60PD1 , IXXX100N60B3H1 , IXXX110N60B4H1 , IXXX110N65B4H1 , IXXX160N65B4 , IXXX160N65C4 , IXXX200N65B4 , IXXX300N60C3 , IXYH100N65B3 .

History: STGD18N40LZ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.