Справочник IGBT. IXXQ30N60B3M

 

IXXQ30N60B3M Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXQ30N60B3M
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 33 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 137 pF
   Тип корпуса: TO3PF
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXXQ30N60B3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  ixys
 ixxq30n60b3m.pdf pdf_icon

IXXQ30N60B3M

Advance Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXQ30N60B3MGenX3TM IC110 = 19A VCE(sat) 1.85V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 125nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingOVERMOLDED(IXXQ...M) OUTLINESymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCG

Другие IGBT... IXXH80N65B4H1 , IXXK110N60B4H1 , IXXK110N65B4H1 , IXXK160N65B4 , IXXK160N65C4 , IXXK200N65B4 , IXXK300N60B3 , IXXK300N60C3 , RJH60F7BDPQ-A0 , IXXX100N60B3H1 , IXXX110N60B4H1 , IXXX110N65B4H1 , IXXX160N65B4 , IXXX160N65C4 , IXXX200N65B4 , IXXX300N60C3 , IXYH100N65B3 .

History: ISL9V3036S3S | 2MBI200TA-060 | 2MBI200NT-120-02 | IXXK200N65B4 | SGW6N60UFD | SRE100N065FSUD6

 

 
Back to Top

 


 
.