TGHP75N120FDR IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TGHP75N120FDR
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 883 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 19 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 249 pF
Encapsulados: TO247
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TGHP75N120FDR datasheet
tghp75n120fdr.pdf
TGHP75N120FDR Field Stop Trench IGBT Features TO-247 PLUS 1200V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Short Circuit Withstanding Time 5 s RoHS Compliant JEDEC Qualification Applications Inverter, Solar, UPS, Welder Device Package Marking Remark TGHP75N120FDR TO-247 PLUS TGHP75N120
tghp75n120f2d.pdf
TGHP75N120F2D Field Stop Trench IGBT Features TO-247 PLUS 1200V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC Qualification Applications Solar Inverter, UPS Device Package Marking Remark TGHP75N120F2D TO-247 PL
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