TGHP75N120FDR Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: TGHP75N120FDR
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 883 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 19 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 249 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 325 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам