TGHP75N120FDR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: TGHP75N120FDR  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 883 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 19 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 249 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для TGHP75N120FDR

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGHP75N120FDR даташит

 ..1. Size:970K  trinnotech
 tghp75n120fdr.pdf pdf_icon

TGHP75N120FDR

TGHP75N120FDR Field Stop Trench IGBT Features TO-247 PLUS 1200V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Short Circuit Withstanding Time 5 s RoHS Compliant JEDEC Qualification Applications Inverter, Solar, UPS, Welder Device Package Marking Remark TGHP75N120FDR TO-247 PLUS TGHP75N120

 3.1. Size:1018K  trinnotech
 tghp75n120f2d.pdf pdf_icon

TGHP75N120FDR

TGHP75N120F2D Field Stop Trench IGBT Features TO-247 PLUS 1200V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC Qualification Applications Solar Inverter, UPS Device Package Marking Remark TGHP75N120F2D TO-247 PL

Другие IGBT... FGH40N60SFD, TGL75N120FDR, TGPF15N60FDR, TGPF20N60FDR, TGH80N65F2D2, 1MB03D-120, 1MB05-120, 1MB05D-120, 1MB08-120