IXYH30N170C Todos los transistores

 

IXYH30N170C IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYH30N170C

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 520 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 13 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 124 pF

Encapsulados: TO247

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IXYH30N170C datasheet

 ..1. Size:226K  ixys
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IXYH30N170C

Advance Technical Information VCES = 1700V High Voltage IXYH30N170C IC110 = 30A XPTTM IGBT VCE(sat) 4.8V tfi(typ) = 102ns TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 1700 V G VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1700 V C Tab E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G =

 6.1. Size:188K  ixys
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IXYH30N170C

1200V XPTTM VCES = 1200V IXYP30N120C3 GenX3TM IGBTs IC110 = 30A IXYH30N120C3 VCE(sat) 3.3V tfi(typ) = 88ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-220 (IXYP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V G C Tab E VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 2

 6.2. Size:428K  ixys
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IXYH30N170C

N E W P R O D U C T B R I E F Efficiency Through Technology 1200V XPT IGBTs Extreme-Light Punch-Through IGBTs for High-Speed Hard-Switching Applications October 2012 OVERVIEW TO-247 IXYS Corporation expands its 1200V XPT IGBT product line. With current ratings of up to 220A, these new devices are designed to minimize switching losses in high-voltage, hard-switching applica- tion

 6.3. Size:1279K  ixys
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IXYH30N170C

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