IXYP8N90C3 Todos los transistores

 

IXYP8N90C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYP8N90C3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 120 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 24 pF
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXYP8N90C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  ixys
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IXYP8N90C3

Advance Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYY8N90C3GenX3TM IC110 = 8AIXYP8N90C3 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-252 (IXYY)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 900 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 VTO-220 (IXYP)VG

 0.1. Size:336K  ixys
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IXYP8N90C3

Preliminary Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYA8N90C3D1GenX3TM w/Diode IC110 = 8AIXYP8N90C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-263 AA (IXYA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 900 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 V

Otros transistores... IXYH30N65C3 , IXYH30N65C3H1 , IXYP20N65B3 , IXYP20N65B3D1 , IXYP20N65C3D1 , IXYP20N65C3D1M , IXYP30N65C3 , IXYP50N65C3 , RJP63F3DPP-M0 , IXYQ30N65B3D1 , IXYQ40N65B3D1 , IXYQ40N65C3D1 , IXYT20N120C3D1HV , IXYT30N450HV , IXYT30N65C3H1HV , IXYX100N120B3 , IXYX100N65B3D1 .

History: 1MBI50FE-060 | MMG400K120U6TN | AFGY100T65SPD | CM300DX-24S | MG17200D-BN4MM | IXBF50N360 | IRG4BC20UDPBF

 

 
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