Справочник IGBT. IXYP8N90C3

 

IXYP8N90C3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYP8N90C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 13.3 nC
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IXYP8N90C3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYP8N90C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  ixys
 ixyp8n90c3.pdf pdf_icon

IXYP8N90C3

Advance Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYY8N90C3GenX3TM IC110 = 8AIXYP8N90C3 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-252 (IXYY)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 900 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 VTO-220 (IXYP)VG

 0.1. Size:336K  ixys
 ixyp8n90c3d1.pdf pdf_icon

IXYP8N90C3

Preliminary Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYA8N90C3D1GenX3TM w/Diode IC110 = 8AIXYP8N90C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-263 AA (IXYA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 900 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 V

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: NCE75TD120WT | IXXH30N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.