Справочник IGBT. IXYP8N90C3

 

IXYP8N90C3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYP8N90C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IXYP8N90C3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYP8N90C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  ixys
 ixyp8n90c3.pdf pdf_icon

IXYP8N90C3

Advance Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYY8N90C3GenX3TM IC110 = 8AIXYP8N90C3 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-252 (IXYY)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 900 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 VTO-220 (IXYP)VG

 0.1. Size:336K  ixys
 ixyp8n90c3d1.pdf pdf_icon

IXYP8N90C3

Preliminary Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYA8N90C3D1GenX3TM w/Diode IC110 = 8AIXYP8N90C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-263 AA (IXYA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 900 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 V

Другие IGBT... IXYH30N65C3 , IXYH30N65C3H1 , IXYP20N65B3 , IXYP20N65B3D1 , IXYP20N65C3D1 , IXYP20N65C3D1M , IXYP30N65C3 , IXYP50N65C3 , IRG7IC28U , IXYQ30N65B3D1 , IXYQ40N65B3D1 , IXYQ40N65C3D1 , IXYT20N120C3D1HV , IXYT30N450HV , IXYT30N65C3H1HV , IXYX100N120B3 , IXYX100N65B3D1 .

History: AUIRGP4062D-E | MMG225WB120B6TN | AOKS40B65H2AL | NCE75TD120WT | TGAN25N120FDR

 

 
Back to Top

 


 
.