IXYQ40N65B3D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYQ40N65B3D1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 86 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 37 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 210 pF
Encapsulados: TO3P
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IXYQ40N65B3D1 datasheet
ixyq40n65b3d1.pdf
Advance Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYH40N65B3D1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 40A IXYQ40N65B3D1 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 73ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30kHz Switching TO-247 (IXYH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C,
ixyq40n65c3d1.pdf
Advance Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYH40N65C3D1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 40A IXYQ40N65C3D1 VCE(sat) 2.35V tfi(typ) = 20ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching TO-247 (IXYH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175
Otros transistores... IXYP20N65B3 , IXYP20N65B3D1 , IXYP20N65C3D1 , IXYP20N65C3D1M , IXYP30N65C3 , IXYP50N65C3 , IXYP8N90C3 , IXYQ30N65B3D1 , SGT50T65FD1PN , IXYQ40N65C3D1 , IXYT20N120C3D1HV , IXYT30N450HV , IXYT30N65C3H1HV , IXYX100N120B3 , IXYX100N65B3D1 , IXYX100N65C3D1 , IXYX120N120B3 .
History: OST75N65HTNF | HGTD10N50F1S9A
History: OST75N65HTNF | HGTD10N50F1S9A
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