Справочник IGBT. IXYQ40N65B3D1

 

IXYQ40N65B3D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYQ40N65B3D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 86 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXYQ40N65B3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  ixys
 ixyq40n65b3d1.pdf pdf_icon

IXYQ40N65B3D1

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH40N65B3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 40AIXYQ40N65B3D1 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 73nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30kHz SwitchingTO-247 (IXYH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C,

 5.1. Size:197K  ixys
 ixyq40n65c3d1.pdf pdf_icon

IXYQ40N65B3D1

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYH40N65C3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 40AIXYQ40N65C3D1 VCE(sat) 2.35V tfi(typ) = 20nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247 (IXYH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APTGT75SK120D1 | APTGT600U170D4

 

 
Back to Top

 


 
.