IXYT30N65C3H1HV Todos los transistores

 

IXYT30N65C3H1HV - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYT30N65C3H1HV
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 42 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 173 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 44 nC
   Paquete / Cubierta: TO268HV
 

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IXYT30N65C3H1HV Datasheet (PDF)

 0.1. Size:268K  ixys
 ixyt30n65c3h1hv.pdf pdf_icon

IXYT30N65C3H1HV

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYT30N65C3H1HVGenX3TM w/ Sonic IC110 = 30AIXYH30N65C3H1Diode VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 24nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-268HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 175C 650 VEVCGR TJ = 25

 7.1. Size:245K  ixys
 ixyt30n450hv.pdf pdf_icon

IXYT30N65C3H1HV

Advance Technical InformationHigh Voltage XPTTMVCES = 4500VIXYT30N450HVIGBTIXYH30N450HVIC110 = 30AVCE(sat) 3.9VTO-268HV (IXYT)GE C (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 4500 VTO-247HV (IXYH)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 4500 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 60 AGI

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXGN60N60C2 | ISL9V2540S3ST

 

 
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