Справочник IGBT. IXYT30N65C3H1HV

 

IXYT30N65C3H1HV Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYT30N65C3H1HV
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 173 pF
   Тип корпуса: TO268HV
 

 Аналог (замена) для IXYT30N65C3H1HV

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYT30N65C3H1HV Datasheet (PDF)

 0.1. Size:268K  ixys
 ixyt30n65c3h1hv.pdf pdf_icon

IXYT30N65C3H1HV

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYT30N65C3H1HVGenX3TM w/ Sonic IC110 = 30AIXYH30N65C3H1Diode VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 24nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-268HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 175C 650 VEVCGR TJ = 25

 7.1. Size:245K  ixys
 ixyt30n450hv.pdf pdf_icon

IXYT30N65C3H1HV

Advance Technical InformationHigh Voltage XPTTMVCES = 4500VIXYT30N450HVIGBTIXYH30N450HVIC110 = 30AVCE(sat) 3.9VTO-268HV (IXYT)GE C (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 4500 VTO-247HV (IXYH)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 4500 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 60 AGI

Другие IGBT... IXYP30N65C3 , IXYP50N65C3 , IXYP8N90C3 , IXYQ30N65B3D1 , IXYQ40N65B3D1 , IXYQ40N65C3D1 , IXYT20N120C3D1HV , IXYT30N450HV , IKW75N60T , IXYX100N120B3 , IXYX100N65B3D1 , IXYX100N65C3D1 , IXYX120N120B3 , IXYX40N450HV , IXYH40N65B3 , IXYH40N65B3D1 , IXYH40N65C3 .

History: SGL5N60RUFD | MMGT75W120X6C

 

 
Back to Top

 


 
.