IXYX40N450HV Todos los transistores

 

IXYX40N450HV - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYX40N450HV
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 660 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 95 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 330 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 146 pF
   Paquete / Cubierta: TO247PLUS-HV
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXYX40N450HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  ixys
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IXYX40N450HV

Advance Technical InformationHigh Voltage XPTTMVCES = 4500VIXYX40N450HVIGBTIC110 = 40AVCE(sat) 3.9VTO-247PLUS-HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 4500 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 4500 VETabVGES Continuous 20 V CVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 95 AG = Gate E = EmitterIC110 TC = 110C

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: BSM25GD120DN2 | JNG40T65HYU1 | IKW40N65F5 | GT25H101 | IXYH40N65C3H1 | CM300DU-12F | AUIRGP35B60PD-E

 

 
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