IXYX40N450HV Todos los transistores

 

IXYX40N450HV IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYX40N450HV

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 660 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 330 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 146 pF

Encapsulados: TO247PLUS-HV

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IXYX40N450HV datasheet

 ..1. Size:191K  ixys
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IXYX40N450HV

Advance Technical Information High Voltage XPTTM VCES = 4500V IXYX40N450HV IGBT IC110 = 40A VCE(sat) 3.9V TO-247PLUS-HV Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 4500 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 4500 V E Tab VGES Continuous 20 V C VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 95 A G = Gate E = Emitter IC110 TC = 110 C

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