IXYX40N450HV - аналоги и описание IGBT

 

IXYX40N450HV - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYX40N450HV

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 95 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 330 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 146 pF

Тип корпуса: TO247PLUS-HV

 Аналог (замена) для IXYX40N450HV

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYX40N450HV даташит

 ..1. Size:191K  ixys
 ixyx40n450hv.pdf pdf_icon

IXYX40N450HV

Advance Technical Information High Voltage XPTTM VCES = 4500V IXYX40N450HV IGBT IC110 = 40A VCE(sat) 3.9V TO-247PLUS-HV Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 4500 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 4500 V E Tab VGES Continuous 20 V C VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 95 A G = Gate E = Emitter IC110 TC = 110 C

Другие IGBT... IXYQ40N65C3D1 , IXYT20N120C3D1HV , IXYT30N450HV , IXYT30N65C3H1HV , IXYX100N120B3 , IXYX100N65B3D1 , IXYX100N65C3D1 , IXYX120N120B3 , IRGP4063D , IXYH40N65B3 , IXYH40N65B3D1 , IXYH40N65C3 , IXYH40N65C3D1 , IXYH40N65C3H1 , IXYH40N90C3 , IXYH40N90C3D1 , IXYH50N65C3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.