Справочник IGBT. IXYX40N450HV

 

IXYX40N450HV Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYX40N450HV
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 95 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 330 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 146 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 170 nC
   Тип корпуса: TO247PLUS-HV
 

 Аналог (замена) для IXYX40N450HV

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYX40N450HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  ixys
 ixyx40n450hv.pdf pdf_icon

IXYX40N450HV

Advance Technical InformationHigh Voltage XPTTMVCES = 4500VIXYX40N450HVIGBTIC110 = 40AVCE(sat) 3.9VTO-247PLUS-HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 4500 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 4500 VETabVGES Continuous 20 V CVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 95 AG = Gate E = EmitterIC110 TC = 110C

Другие IGBT... IXYQ40N65C3D1 , IXYT20N120C3D1HV , IXYT30N450HV , IXYT30N65C3H1HV , IXYX100N120B3 , IXYX100N65B3D1 , IXYX100N65C3D1 , IXYX120N120B3 , RJH3047 , IXYH40N65B3 , IXYH40N65B3D1 , IXYH40N65C3 , IXYH40N65C3D1 , IXYH40N65C3H1 , IXYH40N90C3 , IXYH40N90C3D1 , IXYH50N65C3 .

History: IXBT6N170 | IXXK200N60B3 | STGWA30H60DFB | SKM150GB173D | AIKW75N60CT | APT150GN120J | 2MBI225U4N-170-50

 

 
Back to Top

 


 
.