Справочник IGBT. IXYX40N450HV

 

IXYX40N450HV Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYX40N450HV
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 95 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 330 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 146 pF
   Тип корпуса: TO247PLUS-HV
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXYX40N450HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  ixys
 ixyx40n450hv.pdf pdf_icon

IXYX40N450HV

Advance Technical InformationHigh Voltage XPTTMVCES = 4500VIXYX40N450HVIGBTIC110 = 40AVCE(sat) 3.9VTO-247PLUS-HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 4500 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 4500 VETabVGES Continuous 20 V CVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 95 AG = Gate E = EmitterIC110 TC = 110C

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IXA4IF1200UC | JNG40T65HYU1 | IKW40N65F5 | APT60GT60JRD | IXYH40N65C3H1 | CM300DU-12F | FF200R17KE3

 

 
Back to Top

 


 
.