IXYH60N90C3 Todos los transistores

 

IXYH60N90C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYH60N90C3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 140 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 77 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 107 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXYH60N90C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  ixys
 ixyh60n90c3.pdf pdf_icon

IXYH60N90C3

Advance Technical Information900V XPTTM IGBT VCES = 900VIXYH60N90C3GenX3TM IC110 = 60A VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 88nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 900 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC =

Otros transistores... IXYH40N65C3 , IXYH40N65C3D1 , IXYH40N65C3H1 , IXYH40N90C3 , IXYH40N90C3D1 , IXYH50N65C3 , IXYH50N65C3D1 , IXYH50N65C3H1 , SGT60N60FD1P7 , IXYH75N65C3 , IXYH75N65C3D1 , IXYH75N65C3H1 , IXYH80N90C3 , IXYJ30N120C3D1 , IXYK100N120B3 , IXYK100N65B3D1 , IXYK100N65C3D1 .

 

 
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