IXYH60N90C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYH60N90C3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 140 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 77 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 107 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXYH60N90C3 - IGBT
IXYH60N90C3 Datasheet (PDF)
ixyh60n90c3.pdf
Advance Technical Information900V XPTTM IGBT VCES = 900VIXYH60N90C3GenX3TM IC110 = 60A VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 88nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 900 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC =
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Liste
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