IXYH60N90C3 Todos los transistores

 

IXYH60N90C3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYH60N90C3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 77 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF

Encapsulados: TO247

 Búsqueda de reemplazo de IXYH60N90C3 IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXYH60N90C3 datasheet

 ..1. Size:166K  ixys
 ixyh60n90c3.pdf pdf_icon

IXYH60N90C3

Advance Technical Information 900V XPTTM IGBT VCES = 900V IXYH60N90C3 GenX3TM IC110 = 60A VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 88ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 900 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 900 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transient 30 V IC25 TC =

Otros transistores... IXYH40N65C3 , IXYH40N65C3D1 , IXYH40N65C3H1 , IXYH40N90C3 , IXYH40N90C3D1 , IXYH50N65C3 , IXYH50N65C3D1 , IXYH50N65C3H1 , IRGP4086 , IXYH75N65C3 , IXYH75N65C3D1 , IXYH75N65C3H1 , IXYH80N90C3 , IXYJ30N120C3D1 , IXYK100N120B3 , IXYK100N65B3D1 , IXYK100N65C3D1 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.