Справочник IGBT. IXYH60N90C3

 

IXYH60N90C3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYH60N90C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 77 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 107 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXYH60N90C3

 

 

IXYH60N90C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  ixys
 ixyh60n90c3.pdf

IXYH60N90C3 IXYH60N90C3

Advance Technical Information900V XPTTM IGBT VCES = 900VIXYH60N90C3GenX3TM IC110 = 60A VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 88nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 900 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC =

Другие IGBT... IXYH40N65C3 , IXYH40N65C3D1 , IXYH40N65C3H1 , IXYH40N90C3 , IXYH40N90C3D1 , IXYH50N65C3 , IXYH50N65C3D1 , IXYH50N65C3H1 , SGT50T65FD1PN , IXYH75N65C3 , IXYH75N65C3D1 , IXYH75N65C3H1 , IXYH80N90C3 , IXYJ30N120C3D1 , IXYK100N120B3 , IXYK100N65B3D1 , IXYK100N65C3D1 .

 

 
Back to Top