IXYH60N90C3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXYH60N90C3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 77 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXYH60N90C3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH60N90C3 даташит

 ..1. Size:166K  ixys
 ixyh60n90c3.pdf pdf_icon

IXYH60N90C3

Advance Technical Information 900V XPTTM IGBT VCES = 900V IXYH60N90C3 GenX3TM IC110 = 60A VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 88ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 900 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 900 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transient 30 V IC25 TC =

Другие IGBT... IXYH40N65C3, IXYH40N65C3D1, IXYH40N65C3H1, IXYH40N90C3, IXYH40N90C3D1, IXYH50N65C3, IXYH50N65C3D1, IXYH50N65C3H1, IRGP4086, IXYH75N65C3, IXYH75N65C3D1, IXYH75N65C3H1, IXYH80N90C3, IXYJ30N120C3D1, IXYK100N120B3, IXYK100N65B3D1, IXYK100N65C3D1