IXYH80N90C3 Todos los transistores

 

IXYH80N90C3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYH80N90C3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 830 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 165 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 103 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 243 pF

Encapsulados: TO247

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IXYH80N90C3 datasheet

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IXYH80N90C3

Advance Technical Information 900V XPTTM IGBTs VCES = 900V IXYT80N90C3 GenX3TM IC110 = 80A IXYH80N90C3 VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 86ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-268 (IXYT) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TJ = 25 C to 175 C 900 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 900 V TO-247 (IXYH) VGES Continuous 20 V

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IXYH80N90C3

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH82N120C3 GenX3TM IC110 = 82A VCE(sat) 3.20V tfi(typ) = 93ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transient

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History: IXYK100N120B3

 

 

 


 
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