IXYH80N90C3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXYH80N90C3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 165 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 103 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 243 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXYH80N90C3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH80N90C3 даташит

 ..1. Size:184K  ixys
 ixyh80n90c3.pdf pdf_icon

IXYH80N90C3

Advance Technical Information 900V XPTTM IGBTs VCES = 900V IXYT80N90C3 GenX3TM IC110 = 80A IXYH80N90C3 VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 86ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-268 (IXYT) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TJ = 25 C to 175 C 900 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 900 V TO-247 (IXYH) VGES Continuous 20 V

 9.1. Size:199K  ixys
 ixyh82n120c3.pdf pdf_icon

IXYH80N90C3

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH82N120C3 GenX3TM IC110 = 82A VCE(sat) 3.20V tfi(typ) = 93ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transient

Другие IGBT... IXYH40N90C3D1, IXYH50N65C3, IXYH50N65C3D1, IXYH50N65C3H1, IXYH60N90C3, IXYH75N65C3, IXYH75N65C3D1, IXYH75N65C3H1, SGH80N60UFD, IXYJ30N120C3D1, IXYK100N120B3, IXYK100N65B3D1, IXYK100N65C3D1, IXYK120N120B3, IXYK140N90C3, IXYL60N450, IXYP10N65C3