IXYH80N90C3 - аналоги и описание IGBT

 

IXYH80N90C3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IXYH80N90C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 165 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 103 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 243 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXYH80N90C3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IXYH80N90C3

 ..1. Size:184K  ixys
 ixyh80n90c3.pdf pdf_icon

IXYH80N90C3

Advance Technical Information 900V XPTTM IGBTs VCES = 900V IXYT80N90C3 GenX3TM IC110 = 80A IXYH80N90C3 VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 86ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-268 (IXYT) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TJ = 25 C to 175 C 900 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 900 V TO-247 (IXYH) VGES Continuous 20 V

 9.1. Size:199K  ixys
 ixyh82n120c3.pdf pdf_icon

IXYH80N90C3

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYH82N120C3 GenX3TM IC110 = 82A VCE(sat) 3.20V tfi(typ) = 93ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Continuous 20 V C Tab E VGEM Transient

Другие IGBT... IXYH40N90C3D1 , IXYH50N65C3 , IXYH50N65C3D1 , IXYH50N65C3H1 , IXYH60N90C3 , IXYH75N65C3 , IXYH75N65C3D1 , IXYH75N65C3H1 , SGH80N60UFD , IXYJ30N120C3D1 , IXYK100N120B3 , IXYK100N65B3D1 , IXYK100N65C3D1 , IXYK120N120B3 , IXYK140N90C3 , IXYL60N450 , IXYP10N65C3 .

 

 
Back to Top

 


 
.