Справочник IGBT. IXYH80N90C3

 

IXYH80N90C3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYH80N90C3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 165 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 103 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 243 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 145 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXYH80N90C3

 

 

IXYH80N90C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
 ixyh80n90c3.pdf

IXYH80N90C3 IXYH80N90C3

Advance Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYT80N90C3GenX3TM IC110 = 80AIXYH80N90C3 VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 86nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-268 (IXYT)GESymbol Test Conditions Maximum RatingsC (Tab)VCES TJ = 25C to 175C 900 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VTO-247 (IXYH)VGES Continuous 20 V

 9.1. Size:199K  ixys
 ixyh82n120c3.pdf

IXYH80N90C3 IXYH80N90C3

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYH82N120C3GenX3TM IC110 = 82A VCE(sat) 3.20V tfi(typ) = 93nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 1200 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 1200 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top