IXYL60N450 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYL60N450
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 417 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 450 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 270 pF
Paquete / Cubierta: I5PAK
Búsqueda de reemplazo de IXYL60N450 IGBT
IXYL60N450 Datasheet (PDF)
ixyl60n450.pdf

SAdvance Technical InformationHigh Voltage VCES = 4500VIXYL60N450XPTTM IGBT IC110 = 38A VCE(sat) 3.30V (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i5-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 4500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 4500 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30
Otros transistores... IXYH75N65C3H1 , IXYH80N90C3 , IXYJ30N120C3D1 , IXYK100N120B3 , IXYK100N65B3D1 , IXYK100N65C3D1 , IXYK120N120B3 , IXYK140N90C3 , JT075N065WED , IXYP10N65C3 , IXYP10N65C3D1 , IXYP10N65C3D1M , IXYP15N65C3 , IXYP15N65C3D1 , IXYP15N65C3D1M , IXGR72N60C3 , IXGT25N250HV .
History: IKA15N65H5 | IRG4BC20FD | IXYJ30N120C3D1 | 1MBH10D-060 | SPT15N65T1 | MIXA30W1200TED | IXSN52N60AU1
History: IKA15N65H5 | IRG4BC20FD | IXYJ30N120C3D1 | 1MBH10D-060 | SPT15N65T1 | MIXA30W1200TED | IXSN52N60AU1



Liste
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