IXYL60N450 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYL60N450  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 417 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 450 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 270 pF

Encapsulados: I5PAK

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IXYL60N450 datasheet

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IXYL60N450

S Advance Technical Information High Voltage VCES = 4500V IXYL60N450 XPTTM IGBT IC110 = 38A VCE(sat) 3.30V (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 4500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 4500 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30

Otros transistores... IXYH75N65C3H1, IXYH80N90C3, IXYJ30N120C3D1, IXYK100N120B3, IXYK100N65B3D1, IXYK100N65C3D1, IXYK120N120B3, IXYK140N90C3, IRGP4066D, IXYP10N65C3, IXYP10N65C3D1, IXYP10N65C3D1M, IXYP15N65C3, IXYP15N65C3D1, IXYP15N65C3D1M, IXGR72N60C3, IXGT25N250HV