Справочник IGBT. IXYL60N450

 

IXYL60N450 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYL60N450
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 450 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 270 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 366 nC
   Тип корпуса: I5PAK

 Аналог (замена) для IXYL60N450

 

 

IXYL60N450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  ixys
 ixyl60n450.pdf

IXYL60N450 IXYL60N450

SAdvance Technical InformationHigh Voltage VCES = 4500VIXYL60N450XPTTM IGBT IC110 = 38A VCE(sat) 3.30V (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i5-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 4500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 4500 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30

Другие IGBT... IXYH75N65C3H1 , IXYH80N90C3 , IXYJ30N120C3D1 , IXYK100N120B3 , IXYK100N65B3D1 , IXYK100N65C3D1 , IXYK120N120B3 , IXYK140N90C3 , JT075N065WED , IXYP10N65C3 , IXYP10N65C3D1 , IXYP10N65C3D1M , IXYP15N65C3 , IXYP15N65C3D1 , IXYP15N65C3D1M , IXGR72N60C3 , IXGT25N250HV .

 

 
Back to Top