IXYL60N450 - аналоги и описание IGBT

 

IXYL60N450 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYL60N450

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 450 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 270 pF

Тип корпуса: I5PAK

 Аналог (замена) для IXYL60N450

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYL60N450 даташит

 ..1. Size:154K  ixys
 ixyl60n450.pdf pdf_icon

IXYL60N450

S Advance Technical Information High Voltage VCES = 4500V IXYL60N450 XPTTM IGBT IC110 = 38A VCE(sat) 3.30V (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i5-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 4500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 4500 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30

Другие IGBT... IXYH75N65C3H1 , IXYH80N90C3 , IXYJ30N120C3D1 , IXYK100N120B3 , IXYK100N65B3D1 , IXYK100N65C3D1 , IXYK120N120B3 , IXYK140N90C3 , IRGP4066D , IXYP10N65C3 , IXYP10N65C3D1 , IXYP10N65C3D1M , IXYP15N65C3 , IXYP15N65C3D1 , IXYP15N65C3D1M , IXGR72N60C3 , IXGT25N250HV .

History: IXXR110N65B4H1

 

 

 


 
↑ Back to Top
.