IXXA30N65C3HV - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXA30N65C3HV
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 52 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 33 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 133 pF
Paquete / Cubierta: TO263
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IXXA30N65C3HV Datasheet (PDF)
ixxa30n65c3hv.pdf
Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXA30N65C3HVGenX3TM IC110 = 30A VCE(sat) 2.2V tfi(typ) = 32nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-263Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 175C 650 VEVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 V D (Tab)VGES Continuous 20 VVGEM Transie
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Liste
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