IXXA30N65C3HV Todos los transistores

 

IXXA30N65C3HV IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXXA30N65C3HV

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 33 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 133 pF

Encapsulados: TO263

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IXXA30N65C3HV datasheet

 ..1. Size:209K  ixys
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IXXA30N65C3HV

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXA30N65C3HV GenX3TM IC110 = 30A VCE(sat) 2.2V tfi(typ) = 32ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching TO-263 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V E VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V D (Tab) VGES Continuous 20 V VGEM Transie

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