IXXA30N65C3HV Todos los transistores

 

IXXA30N65C3HV - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXXA30N65C3HV
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 52 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 33 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 133 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 37 nC
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IXXA30N65C3HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  ixys
 ixxa30n65c3hv.pdf pdf_icon

IXXA30N65C3HV

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXA30N65C3HVGenX3TM IC110 = 30A VCE(sat) 2.2V tfi(typ) = 32nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-263Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 175C 650 VEVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 V D (Tab)VGES Continuous 20 VVGEM Transie

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History: HGT1S1N120BNDS9A | IXGT6N170AHV

 

 
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