IXXA30N65C3HV - аналоги и описание IGBT

 

IXXA30N65C3HV - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXXA30N65C3HV

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 133 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXXA30N65C3HV

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXXA30N65C3HV даташит

 ..1. Size:209K  ixys
 ixxa30n65c3hv.pdf pdf_icon

IXXA30N65C3HV

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXXA30N65C3HV GenX3TM IC110 = 30A VCE(sat) 2.2V tfi(typ) = 32ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching TO-263 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V E VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V D (Tab) VGES Continuous 20 V VGEM Transie

Другие IGBT... IXYP10N65C3D1M , IXYP15N65C3 , IXYP15N65C3D1 , IXYP15N65C3D1M , IXGR72N60C3 , IXGT25N250HV , IXGT6N170AHV , IXGX50N60AU1S , IKW40T120 , IXXR100N60B3H1 , IXXR110N60B4H1 , IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , IXYA20N120C3HV , IXYA20N65B3 , IXYA20N65C3 , IXYA20N65C3D1 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.