Справочник IGBT. IXXA30N65C3HV

 

IXXA30N65C3HV Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXA30N65C3HV
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 133 pF
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXXA30N65C3HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  ixys
 ixxa30n65c3hv.pdf pdf_icon

IXXA30N65C3HV

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXA30N65C3HVGenX3TM IC110 = 30A VCE(sat) 2.2V tfi(typ) = 32nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-263Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 175C 650 VEVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 V D (Tab)VGES Continuous 20 VVGEM Transie

Другие IGBT... IXYP10N65C3D1M , IXYP15N65C3 , IXYP15N65C3D1 , IXYP15N65C3D1M , IXGR72N60C3 , IXGT25N250HV , IXGT6N170AHV , IXGX50N60AU1S , CRG75T60AK3HD , IXXR100N60B3H1 , IXXR110N60B4H1 , IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , IXYA20N120C3HV , IXYA20N65B3 , IXYA20N65C3 , IXYA20N65C3D1 .

History: MG17200D-BN4MM | AFGY100T65SPD | IXBF50N360 | CM300DX-24S | IRG4BC20UDPBF | APT30GT60BRD

 

 
Back to Top

 


 
.