IXYA20N120C3HV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYA20N120C3HV  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 278 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.4 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 29 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 70 pF

Encapsulados: TO263HV

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IXYA20N120C3HV IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXYA20N120C3HV datasheet

 ..1. Size:229K  ixys
 ixya20n120c3hv.pdf pdf_icon

IXYA20N120C3HV

1200V XPTTM VCES = 1200V IXYA20N120C3HV GenX3TM IGBTs IC110 = 20A IXYP20N120C3 VCE(sat) 3.4V IXYH20N120C3 tfi(typ) = 108ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-263HV (IXYA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V TO-220 (IXYP) VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE

 ..2. Size:221K  ixys
 ixya20n120c3hv ixyp20n120c3 ixyh20n120c3.pdf pdf_icon

IXYA20N120C3HV

1200V XPTTM VCES = 1200V IXYA20N120C3HV GenX3TM IGBTs IC110 = 20A IXYP20N120C3 VCE(sat) 3.4V IXYH20N120C3 tfi(typ) = 108ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-263HV (IXYA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V TO-220 (IXYP) VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE

 7.1. Size:273K  ixys
 ixya20n65b3.pdf pdf_icon

IXYA20N120C3HV

Advance Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYA20N65B3 GenX3TM IC110 = 20A IXYP20N65B3 VCE(sat) 2.10V IXYH20N65B3 tfi(typ) = 87ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30kHz Switching TO-263 (IXYA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXYP) VCES TJ = 25 C to 175 C 650

 7.2. Size:257K  ixys
 ixya20n65c3.pdf pdf_icon

IXYA20N120C3HV

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYA20N65C3 GenX3TM IC110 = 20A IXYH20N65C3 VCE(sat) 2.50V tfi(typ) = 28ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching TO-263 AA (IXYA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G E VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXGT25N250HV, IXGT6N170AHV, IXGX50N60AU1S, IXXA30N65C3HV, IXXR100N60B3H1, IXXR110N60B4H1, IXXR110N65B4H1, IXYA15N65C3D1, TGPF30N43P, IXYA20N65B3, IXYA20N65C3, IXYA20N65C3D1, IXYA50N65C3, IXYF30N450, IXYF40N450, IXA20PT1200LB, IXA20RG1200DHGLB