IXYA20N120C3HV - аналоги и описание IGBT

 

IXYA20N120C3HV - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYA20N120C3HV

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF

Тип корпуса: TO263HV

 Аналог (замена) для IXYA20N120C3HV

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYA20N120C3HV даташит

 ..1. Size:229K  ixys
 ixya20n120c3hv.pdf pdf_icon

IXYA20N120C3HV

1200V XPTTM VCES = 1200V IXYA20N120C3HV GenX3TM IGBTs IC110 = 20A IXYP20N120C3 VCE(sat) 3.4V IXYH20N120C3 tfi(typ) = 108ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-263HV (IXYA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V TO-220 (IXYP) VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE

 ..2. Size:221K  ixys
 ixya20n120c3hv ixyp20n120c3 ixyh20n120c3.pdf pdf_icon

IXYA20N120C3HV

1200V XPTTM VCES = 1200V IXYA20N120C3HV GenX3TM IGBTs IC110 = 20A IXYP20N120C3 VCE(sat) 3.4V IXYH20N120C3 tfi(typ) = 108ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-263HV (IXYA) G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V TO-220 (IXYP) VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE

 7.1. Size:273K  ixys
 ixya20n65b3.pdf pdf_icon

IXYA20N120C3HV

Advance Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYA20N65B3 GenX3TM IC110 = 20A IXYP20N65B3 VCE(sat) 2.10V IXYH20N65B3 tfi(typ) = 87ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30kHz Switching TO-263 (IXYA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXYP) VCES TJ = 25 C to 175 C 650

 7.2. Size:257K  ixys
 ixya20n65c3.pdf pdf_icon

IXYA20N120C3HV

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYA20N65C3 GenX3TM IC110 = 20A IXYH20N65C3 VCE(sat) 2.50V tfi(typ) = 28ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching TO-263 AA (IXYA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G E VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGT25N250HV , IXGT6N170AHV , IXGX50N60AU1S , IXXA30N65C3HV , IXXR100N60B3H1 , IXXR110N60B4H1 , IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , TGPF30N43P , IXYA20N65B3 , IXYA20N65C3 , IXYA20N65C3D1 , IXYA50N65C3 , IXYF30N450 , IXYF40N450 , IXA20PT1200LB , IXA20RG1200DHGLB .

History: IXYL60N450 | IXXR110N65B4H1

 

 

 


 
↑ Back to Top
.