IXYF30N450 Todos los transistores

 

IXYF30N450 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYF30N450
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 23 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 318 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 83 pF
   Paquete / Cubierta: I4PAK
 

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IXYF30N450 Datasheet (PDF)

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IXYF30N450

Advance Technical InformationHigh Voltage XPTTM IGBTVCES = 4500VIXYF30N450IC110 = 17AVCE(sat) 3.9V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 4500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 4500 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transient 30 VIsolated Tab5IC25 TC = 25C 23 A1

Otros transistores... IXXR110N60B4H1 , IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , IXYA20N120C3HV , IXYA20N65B3 , IXYA20N65C3 , IXYA20N65C3D1 , IXYA50N65C3 , GT30J122 , IXYF40N450 , IXA20PT1200LB , IXA20RG1200DHGLB , IXA220I650NA , IXA30RG1200DHGLB , IXA40I4000KN , IXA40RG1200DHGLB , IXA70R1200NA .

History: IXSK30N60BD1 | IXYF40N450

 

 
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