IXYF30N450 Todos los transistores

 

IXYF30N450 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYF30N450

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 318 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 83 pF

Encapsulados: I4PAK

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IXYF30N450 datasheet

 ..1. Size:188K  ixys
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IXYF30N450

Advance Technical Information High Voltage XPTTM IGBT VCES = 4500V IXYF30N450 IC110 = 17A VCE(sat) 3.9V (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 4500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 4500 V VGES Continuous 20 V 1 2 VGEM Transient 30 V Isolated Tab 5 IC25 TC = 25 C 23 A 1

Otros transistores... IXXR110N60B4H1 , IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , IXYA20N120C3HV , IXYA20N65B3 , IXYA20N65C3 , IXYA20N65C3D1 , IXYA50N65C3 , RJH60F5DPQ-A0 , IXYF40N450 , IXA20PT1200LB , IXA20RG1200DHGLB , IXA220I650NA , IXA30RG1200DHGLB , IXA40I4000KN , IXA40RG1200DHGLB , IXA70R1200NA .

History: RGT30NS65D | IXA20RG1200DHGLB | RGT8NS65D

 

 

 


 
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