IXYF30N450 - аналоги и описание IGBT

 

IXYF30N450 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYF30N450

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 318 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 83 pF

Тип корпуса: I4PAK

 Аналог (замена) для IXYF30N450

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYF30N450 даташит

 ..1. Size:188K  ixys
 ixyf30n450.pdf pdf_icon

IXYF30N450

Advance Technical Information High Voltage XPTTM IGBT VCES = 4500V IXYF30N450 IC110 = 17A VCE(sat) 3.9V (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 4500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 4500 V VGES Continuous 20 V 1 2 VGEM Transient 30 V Isolated Tab 5 IC25 TC = 25 C 23 A 1

Другие IGBT... IXXR110N60B4H1 , IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , IXYA20N120C3HV , IXYA20N65B3 , IXYA20N65C3 , IXYA20N65C3D1 , IXYA50N65C3 , RJH60F5DPQ-A0 , IXYF40N450 , IXA20PT1200LB , IXA20RG1200DHGLB , IXA220I650NA , IXA30RG1200DHGLB , IXA40I4000KN , IXA40RG1200DHGLB , IXA70R1200NA .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.