Справочник IGBT. IXYF30N450

 

IXYF30N450 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYF30N450
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 318 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 83 pF
   Тип корпуса: I4PAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXYF30N450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  ixys
 ixyf30n450.pdf pdf_icon

IXYF30N450

Advance Technical InformationHigh Voltage XPTTM IGBTVCES = 4500VIXYF30N450IC110 = 17AVCE(sat) 3.9V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 4500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 4500 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transient 30 VIsolated Tab5IC25 TC = 25C 23 A1

Другие IGBT... IXXR110N60B4H1 , IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , IXYA20N120C3HV , IXYA20N65B3 , IXYA20N65C3 , IXYA20N65C3D1 , IXYA50N65C3 , FGH75T65UPD , IXYF40N450 , IXA20PT1200LB , IXA20RG1200DHGLB , IXA220I650NA , IXA30RG1200DHGLB , IXA40I4000KN , IXA40RG1200DHGLB , IXA70R1200NA .

History: NCE75TS120VTP | AUIRG4BC30S-S | NGTB50N60SWG | FGW40N120H | 6MBP25VBA120-50 | SKM400GA124D | MG06200S-BN4MM

 

 
Back to Top

 


 
.