Справочник IGBT. IXYF30N450

 

IXYF30N450 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYF30N450
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 318 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 83 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 88 nC
   Тип корпуса: I4PAK

 Аналог (замена) для IXYF30N450

 

 

IXYF30N450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  ixys
 ixyf30n450.pdf

IXYF30N450 IXYF30N450

Advance Technical InformationHigh Voltage XPTTM IGBTVCES = 4500VIXYF30N450IC110 = 17AVCE(sat) 3.9V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 4500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 4500 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transient 30 VIsolated Tab5IC25 TC = 25C 23 A1

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top