RGT00TS65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGT00TS65D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 277 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 85 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 68 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 106 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 94 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de RGT00TS65D - IGBT
RGT00TS65D Datasheet (PDF)
rgt00ts65d.pdf
RGT00TS65D650V 50A Field Stop Trench IGBT DatasheetOutline TO-247NVCES650VIC(100C)50AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD277W(1)(2)(3)Features Inner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) Low Switching Loss(2) Collector*13) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built in F
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Liste
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