RGT00TS65D Todos los transistores

 

RGT00TS65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGT00TS65D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 277 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 85 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 68 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 106 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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RGT00TS65D Datasheet (PDF)

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RGT00TS65D

RGT00TS65D650V 50A Field Stop Trench IGBT DatasheetOutline TO-247NVCES650VIC(100C)50AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD277W(1)(2)(3)Features Inner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) Low Switching Loss(2) Collector*13) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built in F

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History: MMG100J120U6HN | IRG4BC30S-S | MMG200HB060H6EN

 

 
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