RGT00TS65D Todos los transistores

 

RGT00TS65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGT00TS65D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 277 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 85 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 68 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 106 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

RGT00TS65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1367K  rohm
 rgt00ts65d.pdf pdf_icon

RGT00TS65D

RGT00TS65D650V 50A Field Stop Trench IGBT DatasheetOutline TO-247NVCES650VIC(100C)50AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD277W(1)(2)(3)Features Inner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) Low Switching Loss(2) Collector*13) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built in F

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: F4-25R12NS4 | AFGY120T65SPD-B4 | 1MBI75U4F-120L-50 | VS-40MT120UHTAPBF | SG12N06DT | CM400DY-24A | IXA20RG1200DHGLB

 

 
Back to Top

 


 
.