Справочник IGBT. RGT00TS65D

 

RGT00TS65D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGT00TS65D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 68 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 106 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 94 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

RGT00TS65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1367K  rohm
 rgt00ts65d.pdf pdf_icon

RGT00TS65D

RGT00TS65D650V 50A Field Stop Trench IGBT DatasheetOutline TO-247NVCES650VIC(100C)50AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD277W(1)(2)(3)Features Inner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2)(1) Gate2) Low Switching Loss(2) Collector*13) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter(1)4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built in F

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: CT20VML-8 | IXXP50N60B3 | IXDH30N120AU1

 

 
Back to Top

 


 
.