RGT00TS65D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RGT00TS65D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 68 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 106 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RGT00TS65D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RGT00TS65D даташит

 ..1. Size:1367K  rohm
 rgt00ts65d.pdf pdf_icon

RGT00TS65D

RGT00TS65D 650V 50A Field Stop Trench IGBT Datasheet Outline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 50A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 277W (1)(2)(3) Features Inner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built in F

Другие IGBT... IXA20RG1200DHGLB, IXA220I650NA, IXA30RG1200DHGLB, IXA40I4000KN, IXA40RG1200DHGLB, IXA70R1200NA, ISL9V3040P3, ISL9V3040S3, IXRH40N120, RGT16NS65D, RGT30NS65D, RGT40NS65D, RGT40TS65D, RGT50TS65D, RGT60TS65D, RGT80TS65D, RGT8BM65D