RGT30NS65D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGT30NS65D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 66 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 35 pF
Encapsulados: TO263
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RGT30NS65D datasheet
rgt30ns65d.pdf
RGT30NS65D 650V 15A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline LPDS (TO-263S) VCES 650V (2) IC(100 C) 15A VCE(sat) (Typ.) 1.65V (1) (3) PD 133W lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FR
Otros transistores... IXA30RG1200DHGLB , IXA40I4000KN , IXA40RG1200DHGLB , IXA70R1200NA , ISL9V3040P3 , ISL9V3040S3 , RGT00TS65D , RGT16NS65D , IRG4PF50W , RGT40NS65D , RGT40TS65D , RGT50TS65D , RGT60TS65D , RGT80TS65D , RGT8BM65D , RGT8NS65D , RGTH00TS65 .
History: IXA40I4000KN
History: IXA40I4000KN
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