RGT30NS65D Todos los transistores

 

RGT30NS65D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RGT30NS65D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 66 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 35 pF

Encapsulados: TO263

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RGT30NS65D datasheet

 ..1. Size:753K  rohm
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RGT30NS65D

RGT30NS65D 650V 15A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline LPDS (TO-263S) VCES 650V (2) IC(100 C) 15A VCE(sat) (Typ.) 1.65V (1) (3) PD 133W lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FR

Otros transistores... IXA30RG1200DHGLB , IXA40I4000KN , IXA40RG1200DHGLB , IXA70R1200NA , ISL9V3040P3 , ISL9V3040S3 , RGT00TS65D , RGT16NS65D , IRG4PF50W , RGT40NS65D , RGT40TS65D , RGT50TS65D , RGT60TS65D , RGT80TS65D , RGT8BM65D , RGT8NS65D , RGTH00TS65 .

History: RGT8NS65D | IXA20RG1200DHGLB

 

 

 


 
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