Справочник IGBT. RGT30NS65D

 

RGT30NS65D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGT30NS65D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 35 pF
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

RGT30NS65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:753K  rohm
 rgt30ns65d.pdf pdf_icon

RGT30NS65D

RGT30NS65D 650V 15A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline LPDS (TO-263S)VCES650V(2) IC(100C)15AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1) (3) PD133WlFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FR

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IXGH24N120C3 | 2MBI50L-060 | FGH50T65UPD | IKZ75N65EL5 | XNS25N120T | IXBH20N300 | SGT70N65FD1P7

 

 
Back to Top

 


 
.