RGT30NS65D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RGT30NS65D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 35 pF

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RGT30NS65D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RGT30NS65D даташит

 ..1. Size:753K  rohm
 rgt30ns65d.pdf pdf_icon

RGT30NS65D

RGT30NS65D 650V 15A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline LPDS (TO-263S) VCES 650V (2) IC(100 C) 15A VCE(sat) (Typ.) 1.65V (1) (3) PD 133W lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FR

Другие IGBT... IXA30RG1200DHGLB, IXA40I4000KN, IXA40RG1200DHGLB, IXA70R1200NA, ISL9V3040P3, ISL9V3040S3, RGT00TS65D, RGT16NS65D, AUIRGPS4067D1, RGT40NS65D, RGT40TS65D, RGT50TS65D, RGT60TS65D, RGT80TS65D, RGT8BM65D, RGT8NS65D, RGTH00TS65